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直拉硅單晶完整制備工藝光盤資料

直拉硅單晶完整制備工藝光盤資料 


工藝介紹 (光盤資料)

CZ直拉硅單晶是一項(xiàng)系統(tǒng)工程,不僅需要對(duì)拉晶本身的設(shè)備衛(wèi)檢、冷檢、熔料、穩(wěn)定、引晶、放肩、等徑、收尾、冷卻過程工藝要全面把握,而且也離不開對(duì)硅料的分選,清洗、配料、摻雜、熱場(chǎng)、坩堝、機(jī)械設(shè)備、控制系統(tǒng)等因素的綜合把握,任何一個(gè)環(huán)節(jié)和能力的缺失,都無法保證產(chǎn)品的質(zhì)量和產(chǎn)量。

本直拉硅單晶完整制備工藝光盤資料
將系統(tǒng)地對(duì)上述各個(gè)方面進(jìn)行從原理到實(shí)際操作進(jìn)行全面的深入淺出的分析闡述,是一份不可多得的硅單晶制備工藝資料。

同時(shí)本公司可針對(duì)用戶實(shí)際生產(chǎn)中存在的問題及新上項(xiàng)目,提供技術(shù)咨詢及整體解決方案服務(wù)。



包含工藝

從概念理論到實(shí)際操作、從發(fā)現(xiàn)問題到解決方案工藝過程、從數(shù)據(jù)公式到表格配方等多方面進(jìn)行闡述分析直拉單晶工藝;
各種硅料的清洗;
各種硅料的初選及復(fù)選;
拉晶過程的全面闡述;
單晶硅的電阻率和摻雜計(jì)算;
拉晶過程中的異常情況及其處理;
硅料的檢測(cè)分選;
重?fù)?、型?hào)、電阻率檢測(cè);
氧碳檢測(cè);
少子壽命檢測(cè);
硅片硅棒其他檢測(cè);
高純水制備、高純氬氣純化;
石墨熱場(chǎng)、石英坩堝、籽晶;
切斷、滾磨和打磨定位面;
直拉單晶常用數(shù)據(jù)、公式、表格;
其他......



推薦光盤運(yùn)行環(huán)境

CPU:P3同類檔次或更高檔次以上。
內(nèi)存: 256M以上內(nèi)存。
硬盤空間: 10G以上均可。
顯示器: VGA或更高分辨率,建議分辨率為 1024x768像素。
操作系統(tǒng): Microsoft Windows 2000/XP/Vistas


 

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