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拉單晶專用 - 鎵摻雜劑

■ 鎵摻雜是目前太陽能拉單晶生產(chǎn)的最新工藝
■ 拉晶摻鎵硅片大幅度降低光致衰減,同時可以提高太陽能電池光電轉(zhuǎn)換效率
■ 即使摻鎵單晶電阻率低達(dá)0.3 Ω*cm部分硅棒切割的硅片做成的電池仍然具有良好的品質(zhì)。
■ 鎵摻雜成本低，簡便可行，每50Kg投料僅需1~2g鎵摻雜劑







什么是拉單晶專用鎵摻雜劑？

■ 鎵為IIIA族元素，原子量為69.72，英文名稱為Gallium,簡稱Ga。鎵質(zhì)軟，淡藍(lán)色光澤。熔點(diǎn)29.78℃。沸點(diǎn)2403℃。具有無毒、不揮發(fā)、不燃、不爆炸等特性。是硅半導(dǎo)體摻雜的重要元素。



為什么用拉單晶專用 - 鎵摻雜劑？

■ 鎵摻雜是目前太陽能拉單晶生產(chǎn)的最新工藝
■ 拉晶摻鎵硅片大幅度降低光致衰減,同時可以提高太陽能電池光電轉(zhuǎn)換效率
■ 即使摻鎵單晶電阻率低達(dá)0.3 Ω*cm部分硅棒切割的硅片做成的電池仍然具有良好的品質(zhì)。
■ 鎵摻雜成本低，簡便可行，每50Kg投料僅需1~2g鎵摻雜劑
■ 用鎵摻雜拉出單晶棒縱向電阻率變化不是很大，硅片上徑向電阻率變化≤20%，由于鎵的分凝系數(shù)較小，只有0.008，尾部電阻率偏低一些，但這部分切的硅片并不是很多。可想而知，在當(dāng)前通用工藝條件下，拉晶摻鎵硅片既可以享受由低電阻率條件制作較高效太陽能電池之利，又全無光致衰減帶來的光電轉(zhuǎn)換效率降低的煩惱，是一種非常理想的全新選擇。



鎵摻雜劑的計算公式

■ X為摻入高純鎵的質(zhì)量
■ M——鎵的原子量
■ NA——阿伏加德羅常數(shù)
■ W——投爐硅的質(zhì)量
■ D——硅的密度
■ C——熔硅中的Ga濃度即CL0度




我們的產(chǎn)品 - 拉單晶專用鎵摻雜劑

■ 我司提供進(jìn)口拉單晶專用鎵摻雜劑，包括以下品種：
■ 7N拉單晶專用鎵摻雜劑
■ 8N拉單晶專用鎵摻雜劑
■ 其它鎵摻雜劑，歡迎來電咨詢



典型用戶

江蘇，浙江，廣東，北京,湖南，內(nèi)蒙古，河南等地的 CZ 拉晶及鑄錠客戶。