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碳化硅籽晶

 

產品介紹-碳化硅籽晶(SiC晶種): 
 SiC的物理和電學屬性使其成為短波長光電、高溫、耐輻射、高功率/高頻率電子器件的首選半導體材料。然而生長優(yōu)質的SiC單晶非常困難,其中第一要素就取決于SiC晶種的品質。晶種的類型、表面性質和吸附變化極大地影響著SiC晶體的生長類型、缺陷結構以及電學性質等等。
 合能陽光提供的SiC晶種,可充分滿足不同需求的客戶,優(yōu)質的晶種品質為客戶SiC長晶的成品率與晶片質量提供了可靠的保障。


 

物理性質-碳化硅籽晶(SiC晶種):




標準參數-碳化硅籽晶(SiC晶種): 
 完全可以根據客戶需求提供不同品質的晶種。Micropipe密度,標準控制在30/cm2以內,高品質可以控制在5/cm2以內。

 



典型客戶-碳化硅籽晶(SiC晶種):
美國,歐洲,亞洲及國內SiC襯底企業(yè)。

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