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少子壽命測試儀

少子壽命測試儀 


合能陽光少子壽命測試儀(HS-CLT),是一款功能強大的少子壽命測試儀,不僅適用于硅片少子壽命的測量,更適用于硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶等多種不規(guī)則形狀硅少子壽命的測量。少子測試量程從1μs到6000μs,硅料電阻率下限達0.1Ω.cm(可擴展至0.01Ω.cm)。測試過程全程動態(tài)曲線監(jiān)控,少子壽命測量可靈敏地反映單晶體重金屬污染及陷阱效應(yīng)表面復(fù)合效應(yīng)等缺陷情況,是原生多晶硅料及半導(dǎo)體及太陽能拉晶企業(yè)不可多得少子壽命測量儀器。



少子壽命測試儀-產(chǎn)品特點

測試范圍廣:包括硅塊、硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶、硅片等的少子壽命及鍺單晶的少子壽命測量。
主要應(yīng)用于硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶、硅塊、硅片的進廠、出廠檢查,生產(chǎn)工藝過程中重金屬沾污和缺陷的監(jiān)控等。
適用于低阻硅料少子壽命的測量,電阻率測量范圍可達ρ>0.1Ω?cm(可擴展至0.01Ω?cm),完全解決了微波光電導(dǎo)無法檢測低阻單晶硅的問題。
全程監(jiān)控動態(tài)測試過程,避免了微波光電導(dǎo)(u-PCD)無法觀測晶體硅陷阱效應(yīng),表面復(fù)合效應(yīng)缺陷的問題。
貫穿深度大,達500微米,相比微波光電導(dǎo)的30微米的貫穿深度,真正體現(xiàn)了少子的體壽命的測量,避免了表面復(fù)合效應(yīng)的干擾。 
專業(yè)定制樣品架最大程度地滿足了原生多晶硅料生產(chǎn)企業(yè)測試多種形狀的硅材料少子壽命的要求,包括硅芯、檢磷棒、檢硼棒等。
性價比高,價格遠低于國外國外少子壽命測試儀產(chǎn)品,極大程度地降低了企業(yè)的測試成本。


少子壽命測試儀-推薦工作條件

溫度:23±2℃
濕度:60%~70%
無強磁場、不與高頻設(shè)備鄰近


少子壽命測試儀-技術(shù)指標(biāo)

測試材料:硅半導(dǎo)體材料 - 硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶、硅塊、硅片等,鍺半導(dǎo)體材料。
少子壽命測試范圍 :1μs-6000μs
可測低阻硅料下限: 0.1Ω.cm, 可擴展到 0.01Ω.cm
激光波長: 1.07μm
激光在單晶硅中的貫穿深度: 500μm
工作頻率: 30MHz
低輸出阻抗,輸出功率> 1W
電源:~220V 50Hz 功耗<50W



少子壽命測試儀-典型用戶

北京,浙江,四川,河北,河南等地的硅料生產(chǎn)企業(yè)及半導(dǎo)體光伏拉晶客戶


 

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